Agilent 8900串联四极杆ICP-MS（ICP-MS/MS）的主要技术参数如下：

1. 进样系统：配备低样品流速高性能进样系统及耐高基体接口，含高基体自动稀释装置（气体自动稀释，避免溶剂污染），可连续测定含盐量高达25%的样品；采用耐高盐、高精度高效同心雾化器，石英材质双通道雾化室（半导体控温，-5℃-20℃连续可调）。
2. RF发生器：数字式固态发生器，27MHz频率，最大功率1.6kW，配备屏蔽矩物理接地技术消除二次放电。
3. 接口与离子传输：镍制采样锥（孔径≤1mm）、截取锥（孔径≤0.45mm）减少高基体污染；离子透镜组含≥2个提取透镜及多次偏转设计的偏转透镜，分离光子与中性粒子。
4. 气体控制：9路软件控制的高精度质量流量控制器（MFC），其中5路用于等离子体气、辅助气等进样系统气体，4路用于He、H2等碰撞反应气。
5. 灵敏度与检测限：低质量数元素（如Li/Be）≥150 Mcps/ppm，中/高质量数元素（如Y/In/U/Tl）≥300 Mcps/ppm；背景≤0.3 cps（Be处）；氧化物离子（CeO+/Ce+）≤1.6%；双电荷离子≤1×10⁻⁹；低质量数元素检测限≤0.5ppt。
6. 功能特性：采用串联四极杆（Q1-Q2）设计，通过碰撞反应池精确控制反应化学，支持母离子/子离子扫描模式，可解决传统ICP-MS的质谱干扰问题，适合同位素分析、形态分析及纳米颗粒表征等。

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